大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBg alt="半导体突发！中国出手：停(tíng)止采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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