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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2每天男生会拉我到没人的位置，对象一到没人的地方就抱我022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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